Sinac

适用于各种任务的固定系统

• 类型齐全：包括适用于各种感应加热应用的并联和串联补偿式变频器。也可提供双频系统。额定输出功率和频率范围为 5 至 2000 千瓦和 0.3 至 350 千赫。
• 高效生产率：自动频率控制可在整个加热周期中保持合适的输出功率。通过手动方式或者使用标准外部控件还可以连续调节输出功率。简单操作、较小占地空间和经验证的可靠性有助于达到令人满意的设备正常运行时间和输出。
• 高效率：二极管整流器在所有功率等级的恒功率因数为 0.95，效率因数为 85-87%。
• 操作灵活性：Sinac 的各种系统和技术特性使您能够选择适合自己特定需求的解决方案。可提供晶闸管、IGBT 和 PowerMOS 逆变器作为各种整流器以及匹配和控制系统，例如，自动负载匹配。
• 提高质量：Sinac 具有现代感应加热的质量改进优势：精确、非接触、可控的热量以及可复制的温度及爬坡和停留时间。通过减少废料和再加工，更好的质量还可以降低成本。
   

真正的种类齐全

• 低频系统：Sinac 的并联补偿式低频系统具有三相晶闸管整流器和全桥晶闸管逆变器。半补偿式系统包括三相二极管整流器以及具备实际短路保护功能的耐用型 IGBT 晶体管。
• 中频系统：Sinac 提供有并联和串联补偿式中频系统。前者具有三相晶闸管整流器，后者具有三相二极管整流器。这两个版本均配备有具备实际短路保护功能的耐用型 IGBT 晶体管。低功率半补偿式系统采用支持各种线圈的手持式变压器（使用柔性电力电缆连接）。
• 高频系统：Sinac 的高频系统还提供并联和串联半补偿式变频器。与中频系统相同，并联补偿式高频系统以快速 IGBT 技术为基础，使其能够实现高达 200 千赫的运行频率。Sinac 的串联补偿式高频系统具有 IGBT 晶体管和三相二极管整流器。IGBT 逆变器以 EFD Induction 荣获专利的切换模式技术为基础，此项技术可以在高频状态下利用 IGBT 晶体管，而不会造成任何额外的压力。固态技术有助于确保最长正常运行时间和最高生产量。
• 多频系统：Sinac 多频系统采用荣获专利的 EFD Induction 技术为一个感应线圈同时提供两种不同的频率——高频和低频。这让您能够灵活处理各种各样的组件。此类系统为串联补偿式设计，以全桥电路中的耐用型 IGBT 晶体管为特点。采用定制设计的线圈直接连接至逆变器配套机柜。
• 定制工程系统：开发一次性解决方案是 EFD Induction自有的特色。我们拥有适用于所有工业过程的加热解决方案的设计和制造所需的专业知识和经验。